液相堆積法(Liquid Phase Deposition)によるSi-MOSダイオードのウエハー前処理について

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概要

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液相堆積法(LPD)は、SiO_2飽和のH_2SiF_6水溶液を浸漬液とし、室温程度で浸漬させた基板上に堆積させる方法である。液相堆積なので膜中に水分を多く含み、SiO_2膜, Siの界面で速い界面準位密度が大きくなり、Hによるアクセプタパッシベーション効果などが生じている。我々はSi基板上にLPD-SiO_2膜を良好に堆積させることを目的とし、ウエハー前処理を行なった。その結果、前処理の条件や基板のタイプにより成膜速度が変化することが分かった。また、前処理によりSi-MOSダイオードの電気的特性が大きく改善され、さらにアクセプタパッシベーション効果を克服できた。しかし、現時点では前処理によるSiO_2膜の絶縁破壊耐圧向上には至らず、ほぼ普通LPDと同じ結果となっている。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-07-25

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