韓 小逸 | 横浜国大工

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概要

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著作論文

• La_Sr_xCuO_4の異常特性(III) : 静電容量の異常
• 液相堆積法(Liquid Phase Deposition)によるSi-MOSダイオードのウエハー前処理について
• 31a-YK-10 La_Sr_xCuO_4の誘電特性の異常(II) : C-V特性にみられる臨界電圧(31aYK 低温(高温超伝導・1/8問題,構造相転移),低温)

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