位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)は,透明波長領域において巨大な屈折率変化を低電界・広波長域で得られ,高性能な光機能デバイスへの応用が期待される.これまで,InGaAs/InAlAs FACQWは,InP基板に対し格子整合するIII族組成比を用いて設計を行ってきたが,本研究では,III族組成比を変化させることにより積極的に歪みを導入し,価電子帯構造を変化させることにより,より優れた電界誘起屈折率変化特性を有するFACQW構造を見出した.これにより,V_π・L(印加電圧と変調部長の積)が約1/2となり,さらなる低電圧駆動が期待される.
- 2010-08-19
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
-
輪嶋 孝樹
横浜国立大学大学院
-
Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
-
Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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