InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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1.55μm帯用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)における電界屈折率効果およびマッハ・ツェンダー(MZ)光変調器・光スイッチへの適用について検討を行った。電界屈折率効果については,価電子帯構造の非放物線性も考慮した詳細な解析を行うとともに,実際のpin構造のi層が薄い場合の内蔵電界を考慮し、最大の屈折率電界係数|dn/dF|が得られる電界強度を実際の動作電界領域である-30〜-60kV/cmヘシフトさせ,大きな屈折率電界係数|dn/dF|が得られる電界の範囲を大幅に拡大した構造を見出した。この構造では,1.55μm付近で100nm以上の広波長域にわたり大きな電界誘起屈折率変化が得られる。その屈折率電界係数|dn/dF|は4.4×10^<-4>cm/kV程度と期待される。多重FACQWの光吸収電流測定を行い,理論予測と同様の吸収係数変化特性が得られることを確認した.このInGaAs/InAlAs FACQWをマッハ・ツェンダー光変調器や2×2光スイッチに適用すれば,動作電圧を0.1〜0.2V程度まで低減することが可能であると見積もられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
-
多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
-
Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
戸谷 貴宏
横浜国立大学
-
山口 幸一郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
内村 貴弘
横浜国立大学大学院工学研究院
-
盧 柱亨
横河電機株式会社
-
盧柱 亨
横河電機株式会社
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
-
戸谷 貴宏
横浜国立大学大学院工学研究院
-
Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
-
Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
-
Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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