盧柱 亨 | 横河電機株式会社
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概要
関連著者
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荒川 太郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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多田 邦雄
金沢工業大学大学院工学研究科
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盧 柱亨
横河電機株式会社
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盧柱 亨
横河電機株式会社
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多田 邦雄
金沢工業大学大学院
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Takizawa Kuniharu
Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)
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荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
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多田 和也
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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Tada Koji
Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
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戸谷 貴宏
横浜国立大学
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山口 幸一郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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内村 貴弘
横浜国立大学大学院工学研究院
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TAKIZAWA Kuuiharu
NHK Science and Technical Research Laboratories
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戸谷 貴宏
横浜国立大学大学院工学研究院
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Takizawa K
Department Of Electronics Nagoya University
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Tada Kunio
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo
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羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
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羽路 伸夫
横浜国立大学
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伊藤 宏和
横浜国立大学大学院工学研究院
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高田 浩司
横浜国立大学大学院工学研究院
-
高田 浩司
横浜国立大学 大学院工学研究院
著作論文
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)