盧 柱亨 | 横河電機株式会社

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概要

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• 横河電機株式会社の論文著者

関連著者

• 荒川 太郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 多田 邦雄

  金沢工業大学大学院工学研究科

• 盧 柱亨

  横河電機株式会社

• 盧柱 亨

  横河電機株式会社

• 多田 邦雄

  金沢工業大学大学院

• Takizawa Kuniharu

  Broadcasting Science Resarch Laboratories Hnk(japan Broadcasting Corporation)

• 荒川 太郎

  横浜国立大学 大学院工学研究院

• 多田 和也

  兵庫県立大学 大学院工学研究科

• Tada Koji

  Basic High-technology Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.

• 戸谷 貴宏

  横浜国立大学

• 山口 幸一郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 内村 貴弘

  横浜国立大学大学院工学研究院

• TAKIZAWA Kuuiharu

  NHK Science and Technical Research Laboratories

• 戸谷 貴宏

  横浜国立大学大学院工学研究院

• Takizawa K

  Department Of Electronics Nagoya University

• Tada Kunio

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo

• 羽路 伸夫

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 羽路 伸夫

  横浜国立大学

• 伊藤 宏和

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 高田 浩司

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 高田 浩司

  横浜国立大学 大学院工学研究院

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著作論文

• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)

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