半導体量子井戸マイクロリングレーザの隣接発振波長を用いた全光フリップフロップとインバータ動作(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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概要
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活性層にInGaAs/InGaAsP多重量子井戸(層厚240nm)を用いたマイクロリングレーザにおいて,異なる2つの隣接発振波長間(FSR=1.7nm)での全光フリップフロップとインバータ動作を確認した.リングに注入する電流を変化させると二つの動作が切り替わった.また,インバータ動作の注入光強度とDetuning量依存性を明らかにした.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-22
著者
-
國分 泰雄
横浜国立大学
-
荒川 太郎
横浜国立大学 大学院工学研究院
-
カトフ レドワン
横浜国立大学大学院工学研究院
-
小林 広樹
横浜国立大学大学院工学府
-
宮本 富成
横浜国立大学大学院工学府
-
梅原 周
横浜国立大学大学院工学府
-
谷口 理一
横浜国立大学大学院工学府
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