イオンビームスパッタ装置による基板垂直面への薄膜フィルタの選択的成膜
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概要
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我々は以前,RFバイアススパッタ装置を用いて,導波路端面などの基板垂直面への選択的成膜を報告したが,特異角の存在による膜の平滑面積の減少やプラズマによる基板の損傷等の問題があった.そこで新たにデュアルイオンビームスパッタ装置を導入してこれらの問題を解決し,この技術を用いてSiとSiO_2各2層づつからなる4層の多層膜フィルタを,あらかじめ光検出器を製作した基板垂直面上に選択的に成膜した.この集積素子の特性を測定したところ,明瞭なフィルタ特性が得られた.膜厚誤差は,Siで約30%,SiO_2で約15%であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-16
著者
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