Influence of One Monolayer Thickness Variation in GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well upon Electrorefractive Index Change
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Publication Office, Japanese Journal of Applied Physics, Faculty of Science, University of Tokyoの論文
- 2001-02-01
著者
-
NOH Joo-Hyong
Yokogawa Electric Corporation
-
Arakawa Taro
Division of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Yokohama National Universit
-
多田 邦雄
金沢工業大学大学院
-
TADA Kunio
Division of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Yokohama National Universit
-
KAZUMA Kensuke
Division of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Yokohama National Universit
-
KUROSAWA Naoki
Division of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Yokohama National Universit
-
NOH Joo-Hyong
Division of Electrical and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Yokohama National Universit
関連論文
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 非対称三重結合量子井戸における電気光学効果(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-4-20 InGaAs/InAIAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー型光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- エレクトロニクス実装学会設立十周年を記念して(社団法人エレクトロニクス実装学会十周年記念)
- C-3-59 GaAs/AlGaAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)光位相変調器の評価(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 「応用物理」創刊75周年を記念して
- Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
- InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InGaAs/InAlAs 5層非対称結合量子井戸を用いたMach-Zehnder干渉計型光スイッチ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- Improved Etched Surface Morphology in Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of GaN by Cyclic Injection of CH_4/H_2/Ar and O_2 with Constant Ar Flow
- GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- Improved Optical Properties of Strain-Induced Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattices
- Scanning Tunneling Microscopy Study on Self-Formation Process of Quantum Dot Structures by the Growth of GaP/InP Short-Period Superlattices on GaAs(311)A Substrate
- Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy Study of Self-Organized Quantum Dot Structures Formed in GaP/InP Short-Period Superlattices ( Scanning Tunneling Microscopy)
- Gas Source Molecular Beam Epitaxy Growth of GaN-Rich Side of GaNP Alloys and Their Observation by Scanning Tunneling Microscopy ( Scanning Tunneling Microscopy)
- Scanning Tunneling Microscopy/Scanning Tunneling Spectroscopy Observation of III-V Compound Semicomductor Nanostructures
- GaAs系5層非対称結合量子井戸(FACQW)における巨大な電界誘起屈折率変化と高性能光変調器への応用(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- Observation of Giant Electrorefractive Effect in Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Wells (FACQWs)
- Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of III-V Semiconductors by Cyclic Injection of CH_4/H_2/Ar and O_2 with Constant Ar Flow
- Fabrication and Optical Characterization of Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
- Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Beam Etching of InP by Cyclic Injection of CH_4/H_2/Ar and O_2(Semiconductors)
- Silicon Dioxide Film with Low Dielectric Constants using Liquid-Phase Deposition
- Improvement of Optical Properties of Multilayer Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattices on GaAs(311)A
- Time-Resolved Photoluminescence Study of Strain-Induced Quantum Dots Self-Formed in GaP/InP Short-Period Superlattice
- Growth Temperature Dependence of Self-Formation Process of Quantum Dot Structures in GaP/InP Short-Period Superlattices Grown on GaAs (311)A Substrate
- Possibility for the Discrimination of Submonolayer InAs and GaAs Grown on Tilted GaAs Substrate
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 超高速光変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸における電気光学効果の理論解析(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- Kinetics of GaAs Metalorganic Chemical Vapor Deposition Studied by Numerical Analysis Based on Experimental Reaction Data
- 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Electrooptic Characterization of Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well
- Influence of One Monolayer Thickness Variation in GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well upon Electrorefractive Index Change
- Anomalous Sharp Dip of Large Field-Induuced Refractive Index Change in GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well
- Synthesis of (Ba,Sr)TiO_3 Thin Films by Plasma-Activated Pulsed Laser Deposition Technique
- アート&サイエンス : 芸術と科学技術の接点を探る
- ポテンシャル制御量子井戸と高性能光変調デバイス
- IPAPの発足について
- Bending Machine Using Anisotropic Polypyrrole Films
- Decrease in Deposition Rate and Improvement of Step Coverage by CF_4 Addition to Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Silicon Oxide Films
- Influence of One Monolayer Thickness Variation in GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well upon Electrorefractive Index Change