全光スイッチの偏光無依存化の検討
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概要
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電気的制御によるスイッチング速度の制限を受けない全光スイッチは、将来の超高速情報処理に対応する必要不可欠なキーデバイスとして実現が期待されている。ハイメサ導波路構造を用いる分布帰還光導波路は、構造を適当に選ぶことによって偏光無依存化を実現できるため、様々な偏光を有する信号が到達するフォトニックネットワークのノードにおいて機能素子としての適用範囲が格段に広がる。本論文では、ハイメサ分布帰還光導波路においてシミュレーション計算を行った後、素子の試作を行い、素子構造により偏光依存性が低減できることを検討した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-18
著者
-
中津原 克己
東京工業大学 電子物理工学科
-
鄭 錫煥
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
中津原 克己
神奈川工科大学電気電子工学科
-
中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
鄭 錫煥
東京工業大学大学院理工学研究科
-
馬 炳真
東京大学大学院工学系研究科
-
水木 哲弥
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
鄭 錫煥
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
中津原 克己
東京工業大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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