光吸収誘起量子井戸混晶化によるDFBレーザの発振波長トリミング
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概要
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分布帰還型半導体レーザの発振波長は,作製プロセスの誤差や端面位相によって広い範囲に分布し,高い再現性を得ることは困難である.このため素子の選別,及び外部制御系による波長調整が必要となる.我々は,この問題を解決するため,発振波長を外部に制御系を付加することなく,プロセス終了後の検査段階において調整し,波長再現性を確保するという新概念「波長トリミング」を提案し,その実現に向けて研究を行っている.ここでは,光吸収誘起量子井戸混晶化による波長トリミングの検討を行い,単体の分布帰還型半導体レーザに適用することにより,1.55μmにおいて0.36nmの発振波長の調整を行うことに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-10
著者
-
中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
-
須藤 剣
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
多田 邦雄
東京大学大学院工学系研究科
-
須藤 剣
東京大学大学院工学系研究科電子工学
-
熊野 充剛
東京大学大学院工学系研究科電子工学
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