変調ポテンシャル多重量子井戸を用いた電界吸収型光変調器の高光入力下における吸収飽和の解析
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概要
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半導体多重量子井戸電界吸収型 (MQW-EA) 光変調器の高光入力下における吸収飽和はMQW-EA光変調器の使用条件の上限を決める一つの要因であり、光入力耐性の改善が切望されている。我々は、変調ポテンシャル量子井戸を用いたMQW-EA光変調器の高光入力下における吸収飽和について解析を行った。具体的には、光を入射したときの光変調器内の電界分布を、吸収係数の電界依存性、キャリア掃出時間の電界依存性を解析することで求め、各量子井戸の光吸収を評価した。シミュレーションの結果、高光入力下における吸収飽和はその動作電界を制御することによって緩和できる可能性があることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-21
著者
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