モノリシック光集積回路に向けたMOVPE選択成長技術とその全光スイッチ回路への応用
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概要
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有機金属気相エピタキシャル成長法を用いた選択成長技術は、光集積回路の作製プロセスをより容易にする技術として注目されている。我々は、InP系光デバイスでよく用いられる基本的な組成(InP, InGaAs, InGaAsP)を選択成長し、その成長速度の測定結果から組成を推定する方法を考案した。また、選択成長法を用いた光集積回路へのひとつの応用として、半導体光増幅器(SOA)とマッハ・ツェンダ干渉計(MZI)を用いた全光スイッチを、1回の結晶成長ステップで試作し、基本的な全光スイッチング動作に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
-
中野 義昭
東京大学工学系研究科
-
加藤 正樹
東京大学大学院新領域創成科学研究科
-
宋 学良
東京大学 先端科学技術研究センター
-
宮下 大輔
東京大学 大学院工学系研究科
-
二口 尚樹
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
二口 尚樹
東京大学先端科学技術研究センター,JST-CREST
-
宋 学良
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮下 大輔
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
加藤 正樹
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
二口 尚樹
東京大学先端科学技術研究センター Jst-crest
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