C-3-128 InGaAs/InGaAsP多重量子井戸構造を用いた0.9μm帯リッジ型SLD素子の2Gbit/s変調特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
梁 吉鎬
スタンレー電気(株)技術研究所
-
中野 義昭
東京大学工学系研究科
-
富田 尚太郎
スタンレー電気(株) 技術研究所
-
丸山 剛
スタンレー電気(株)技術研究所
-
小川 芳宏
スタンレー電気(株)技術研究所
-
小林 静一郎
スタンレー電気(株)技術研究所
-
園田 純一
スタンレー電気(株)技術研究所
-
浦江 博志
スタンレー電気(株)技術研究所
-
富岡 優子
スタンレー電気(株)技術研究所
-
今 智司
スタンレー電気(株)技術研究所
-
富田 尚太郎
スタンレー電気(株)技術研究所
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