溶液成長法によるZnSe単結晶の成長 : バルク成長 I フラックス法

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1996-07-10

著者

• 加藤 裕幸

  スタンレー電気

• 加藤 裕幸

  スタンレー電気(株)技術研究所

• 富田 尚太郎

  スタンレー電気(株) 技術研究所

• 松崎 量宏

  スタンレー電気(株) 技術研究所

• 富田 尚太郎

  スタンレー電気(株)技術研究所

関連論文

• 22pPSB-12 ZnO薄膜における電子スピンダイナミクスの励起波長依存性(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 昇華法によるZnSe単結晶の成長
• 溶液成長法によるZnSe単結晶の成長 : バルク成長 I フラックス法
• C-3-128 InGaAs/InGaAsP多重量子井戸構造を用いた0.9μm帯リッジ型SLD素子の2Gbit/s変調特性
• 20aHB-8 ZnO薄膜中のGa不純物に束縛された電子のスピン緩和(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))

スポンサーリンク