C-3-34 選択MOVPEによるモノリシック集積型マイケルソンSOA全光スイッチにおける時分DEMUX動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2005-09-07
著者
-
イット フーチョン
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
杉山 正和
東大 大学院
-
杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
-
中野 義昭
東大先端研
-
杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
-
宋 学良
東京大学 先端科学技術研究センター
-
イット フーチョン
東大工
-
宋 学良
東大先端研
-
宋 海政
東大工
-
杉山 正和
東大工
-
宋 海政
東大工:jst-sorst
関連論文
- 自己整合法による微小球レンズ装荷裏面入射型高速受光素子アレイ(光部品の実装・信頼性,一般)
- C-4-15 球レンズ装荷裏面入射型高速受光アレイ素子の試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
- CS-8-7 DBR MMI双安定レーザ構造集積全光フリップフロップの設計と予備試作(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- C-3-35 能動MMI型全光フリップ・フロップおよびマッハ・ツェンダー型SOAを用いた信号再生型波長変換動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
- C-3-34 選択MOVPEによるモノリシック集積型マイケルソンSOA全光スイッチにおける時分DEMUX動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
- 半導体能動導波路に基づくデジタルフォトニックデバイス(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (光エレクトロニクス)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (電子部品・材料)
- 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (機構デバイス)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-3-19 選択成長による光合分波器と半導体光増幅器の集積化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 高効率量子タンデム太陽電池
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
- 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
- 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
- Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 格子欠陥制御に基づく機能材料の開発
- 電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)
- CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
- 自己整合法による微小球レンズ装荷裏面入射型高速受光素子アレイ(光部品の実装・信頼性,一般)
- 自己整合法による微小球レンズ装荷裏面入射型高速受光素子アレイ(光部品の実装・信頼性,一般)
- [招待論文]半導体能動導波路に基づくデジタルフォトニックデバイス(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- MOVPE選択成長によるSOA・位相変調器集積干渉計型全光スイッチの試作と評価
- 炭素粒子超臨界水酸化の流体力学シミュレーションと実験による検証 (シミュレーション技術の最新動向)
- 固体の超臨界水反応の可視化とモデル化--超臨界水酸化反応器の設計支援 (特集 最先端化学工学の展望)
- 複雑化した知識を構造化するフレームワーク
- 半導体デバイス用CVD薄膜生成のコンピュータシミュレーション--Soret(熱拡散)効果に注目したMOCVD膜生成の例
- MOVPE選択成長によるSOA・位相変調器集積干渉計型全光スイッチの試作と評価
- MOVPE選択成長によるSOA・位相変調器集積干渉計型全光スイッチの試作と評価
- MOVPE選択成長によるSOA・位相変調器集積干渉計型全光スイッチの試作と評価
- モノリシック光集積回路に向けたMOVPE選択成長技術とその全光スイッチ回路への応用
- MOVPE選択成長によるSOA集積マッハ・ツェンダ干渉計型全光スイッチ
- 全光スイッチに向けた機能性多モード干渉デバイス : 設計と試作
- 2005年量子エレクトロニクス国際会議およびレーザー・電気光学に関する環太平洋会議(IQEC CLEO-PR 2005)報告
- 光エレクトロニクス
- C-3-77 光集積回路の光配線に適する金属/誘電体導波路の試作と損失測定
- レーザー
- 2A1-F03 パリレン保護によるSi細線MEMS変調素子の作製方法の検討(MEMSとナノテクノロジー)
- MOVPE選択成長における1.55μm波長帯集積型4チャネルCWDM DFBレーザアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 動的エリプソメトリによるMOVPEのその場観察とInGaAs/InP界面急峻性向上への応用
- 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して (特集 自然エネルギー)
- 高効率太陽電池とその開発動向 (特集 グリーンエネルギーにおける太陽光発電・太陽電池の現状と課題)
- CI-2-8 新技術による新市場の創造を目指して : 大学発ベンチャーの挑戦(CI-2.基礎研究から実用化に至る死の谷越えの視点からみた光デバイスの課題,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)