電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-05-01

著者

• 杉山 正和

  東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻

• 杉山 正和

  東大 大学院

• 杉山 正和

  東京大学大学院総合研究機構

• 杉山 正和

  東京大学大学院 工学系研究科

関連論文

• 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
• C-3-34 選択MOVPEによるモノリシック集積型マイケルソンSOA全光スイッチにおける時分DEMUX動作(C-3. 光エレクトロニクス(光スイッチ), エレクトロニクス1)
• 第25回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
• 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (光エレクトロニクス)
• 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (電子部品・材料)
• 高性能光電子集積回路実現に向けた3-5 CMOSプラットフォーム技術 (機構デバイス)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-3-19 選択成長による光合分波器と半導体光増幅器の集積化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 高効率量子タンデム太陽電池
• 多点型電極を用いたカーボンナノチューブの誘電泳動
• 合成石英のフェムト秒レーザーアシスト・ドライエッチング : ナノ周期構造の選択的エッチング
• 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
• MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
• 高アスペクトトレンチへの選択的自己組織化微粒子配列
• SPMリソグラフィ用耐摩耗マイクロプローブ
• SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
• 材料結合性ペプチド・抗体を用いたナノ世界での異種材料接合技術
• T1101-1-5 DRIE加工溝側壁の濡れ性を利用した選択的微粒子自己整列(マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(1))
• CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
• 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
• 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
• Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
• SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 格子欠陥制御に基づく機能材料の開発
• 電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)
• CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
• 炭素粒子超臨界水酸化の流体力学シミュレーションと実験による検証 (シミュレーション技術の最新動向)
• 固体の超臨界水反応の可視化とモデル化--超臨界水酸化反応器の設計支援 (特集 最先端化学工学の展望)
• 複雑化した知識を構造化するフレームワーク
• 半導体デバイス用CVD薄膜生成のコンピュータシミュレーション--Soret(熱拡散)効果に注目したMOCVD膜生成の例
• MOVPE選択成長における1.55μm波長帯集積型4チャネルCWDM DFBレーザアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 動的エリプソメトリによるMOVPEのその場観察とInGaAs/InP界面急峻性向上への応用
• 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 : 50%超の変換効率を目指して (特集 自然エネルギー)
• 高効率太陽電池とその開発動向 (特集 グリーンエネルギーにおける太陽光発電・太陽電池の現状と課題)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク