T1101-1-5 DRIE加工溝側壁の濡れ性を利用した選択的微粒子自己整列(マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(1))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Self-assembly of fine particles has an advantage of low cost, high productivity and applicability for three dimensional structures. Surface wettability is dominant factor in this process because the substrate is drawn up from suspension that contains colloidal particles. Wettability can be changed by applying microstructure on the surface and/or chemical modification. On the other hand, when fabricating trench with Deep Reactive Ion Etching (DRIE) on a silicon wafer, microstructures called scallop is formed on the trench sidewall. We demonstrate the self-assembly on the sidewall utilizing the difference of wettability between the sidewall and bottom. It was confirmed that monolayers of polystyrene particles can be produced only on the trench sidewall.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2009-09-12
著者
-
杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
-
杉山 正和
東京大学
-
諸貫 信行
首都大
-
阿波嵜 実
BEANSプロジェクト3D BEANSセンター
-
相馬 伸一
富士電機システムズ
-
諸貫 信行
首都大学東京
-
諸貫 信行
首都大学東京システムデザイン学部
関連論文
- 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
- 第25回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高効率量子タンデム太陽電池
- A101 固体表面に施した微細な凹凸加工が紅色光合成細菌のバイオフィルム形成に与える影響(細胞・分子工学)
- 516 固体表面に施した微細矩形溝が紅色光合成細菌のバイオフィルム形成に与える影響(GS-2:一般セッション(2)材料)
- 多点型電極を用いたカーボンナノチューブの誘電泳動
- 合成石英のフェムト秒レーザーアシスト・ドライエッチング : ナノ周期構造の選択的エッチング
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- 高アスペクトトレンチへの選択的自己組織化微粒子配列
- Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
- SPMリソグラフィ用耐摩耗マイクロプローブ
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
- 材料結合性ペプチド・抗体を用いたナノ世界での異種材料接合技術
- T1101-2-4 滑り防止のための手すり表面微細構造設計(マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(2))
- T1101-1-4 パターン基板へ自己整列を用いた異種粒子複合構造の作製(マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(1))
- C04 壁面微細構造による液体の効率的除去(OS-12 ナノ加工と表面機能(1))
- 414 ナノ粒子の大面積自己整列とエッチングマスク応用に関する研究(T03-3 マイクロナノ理工学:nmからmmまでのテクスチャリングの創成と機能(3),大会テーマセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 405 転倒事故防止のための床面表面微細構造設計(T03-1 マイクロナノ理工学:nmからmmまでのテクスチャリングの創成と機能(1),大会テーマセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 21419 フィルムへの微粒子整列に関する研究(MEMS,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21418 表面微細構造を利用した液体の効率的排除(MEMS,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 21717 表面微細構造による濡れと流動の異方性とその応用(流動,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 330 表面微細構造による床材の摩擦特性改善(OS-16 微細加工と表面機能)
- 326 自己整列化微粒子をマスクとした表面微細加工とその光学特性(OS-16 微細加工と表面機能)
- 濡れ性パターンを用いた微粒子の自己整列(第1報) : 手法の提案と整列条件の検討
- 単結晶SiC薄膜の製作と微小構造材料への適用
- エピタキシャル成長における3次元島形成を利用したナノテクスチャ創成に関する研究
- 20304 ぬれ性パターン上における液体の挙動と微粒子整列への応用(OS14 機能性マイクロデバイスの創製・評価)
- 521 振動加工のための微小工具の機上成形(OS7 ナノ・マイクロ加工)
- 520 多軸振動工具を用いた表面テクスチャリング(OS7 ナノ・マイクロ加工)
- 濡れ性制御のためのテクスチャ設計(流体工学,流体機械)
- 微小片持ちはりのタッピングによる表面機械特性の推定と識別
- T1101-1-5 DRIE加工溝側壁の濡れ性を利用した選択的微粒子自己整列(マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(1))
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 半導体への電界の浸みこみを考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- 界面準位を考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
- 1524 テクスチャによる固体表面の濡れ性制御に関する研究
- 表面テクスチャによる漏れ性制御の試み
- テクスチャ化したすべり面の摩擦方向性を利用した微小物体の駆動
- Si-MBEによるナノテクスチャ面の創成 : Si(100)基板におけるメサ上での3次元島の配列
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 格子欠陥制御に基づく機能材料の開発
- 電子情報通信学会大学シリーズ D-5 光・電磁物性, 電子情報通信学会(編), 多田邦雄, 松本俊(共著), コロナ社(2006-10), A5判, 定価(本体2,800円+税)
- CVD薄膜生成時の反応ガス濃度分布可視化 : 化合物半導体Inp薄膜生成シュミレーションの例
- 複雑化した知識を構造化するフレームワーク
- 規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成:直線を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ
- 低エネルギーイオン支援によるスパッタ薄膜の高性能化
- 規則形状面へのMBEによるナノテクスチャー面の創成 : 円形穴を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャー
- 分子線エピタキシによる(100),(110)単結晶Si面の平滑化過程
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第5報) : 分子線入射量が表面性状に及ぼす影響
- 金属膜付シリコンマイクロプローブの機械特性
- マイクロプローブの接触抵抗
- 微小はり群を用いた多機能共振型センサ
- 分子線エピタキシによる単結晶Si平滑化過程
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第4報) : 基板のもつ熱エネルギが表面性状に及ぼす影響
- 分子線エビタキシによる超精密加工(第10報)-(100)SiへのSi成長における基板温度の影響-
- 分子線エビタキシによる超精密加工(第9報)-(100)および(110)Siにおける平滑化過程の相違-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第3報) -(111)Si基板へのSiC創成過程の観察-
- 微小はり群による高機能センサの設計と試作
- 画像処理による微小物体の運動計測 第2報 フィルタ処理が輪郭線抽出精度に及ぼす影響
- 微小しゅう動機構に作用する表面吸着力
- 微小物体のすべり摩擦特性
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第8報) -(100)および(110)Si基板の平面創成過程-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第2報) -C_2H_2分圧が炭化層の表面性状に及ぼす影響-
- ヘリコンスパッタ分子線源を用いたMBEによる単結晶SiC平滑面の創成に関する研究(第1報) -炭素源にC_2H_2を用いた場合-
- 電子部品・基板接合部の検査法に関する研究 -超音波による観察-
- 振動を用いた微小直線運動機構の位置決め制御
- 真空環境下における微小物体の摩擦力特性
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第7報) -創成面の形状解析-
- 画像処理による微小物体の運動計測 第1報 輪郭抽出におけるノイズフィルタサイズの自動選択
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第6報)-基板面方位が表面性状に及ぼす影響-
- シリコン製微小直線運動機構の試作
- ポテンシャル場を考慮した物体の定常停止位置の予測 -振動部品整列機設計への応用-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第5報) -平面創成過程の観察-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第1報) -Si基板上へのSiC成長-
- シリコン製微小運動機構の運動特性
- デルタオペレータを用いた位置決め制御
- 単結晶シリコンの異方性エッチングによるマイクロスライダの製作
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第4報) -分子線入射量が表面性状に及ぼす影響-
- 顕微画像による微小物体の三次元運動計測
- 高速・高精度制御実現のための制御アルゴリズムに関する研究(第1報) : 修正デルタオペレータの提案
- 分子線エピタキシ(MBE)による超精密加工(第3報)-表面拡散が表面性状に及ぼす影響-
- リアルタイム制御システムの構成 -修正デルタオペレータの適用-
- MNM-P11-2 ゲート・チャネル間の電気機械相互作用を考慮したVB-FETのモデリング(P11 電気等価回路から考えるMEMS設計手法)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- 反応工学
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- 材料結合性ペプチドを用いたカーボンナノチューブ薄層形成とその特性評価
- ナノ流路を用いて作製したアトリットルドロップレットとドロップレット内部での酵素反応