MQW-EA変調器における光誘起屈折率変化を利用した全光デバイスの特性
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概要
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MQW-EA変調器における光誘起屈折率変化の偏光依存性を用いた非常に簡便な方法により、0.8%圧縮歪InGaAsP量子井戸を吸収層として用いたMQW-EA変調器で波長変換実験を行い、+6dBmの比較的小さなシグナル光パワーで動作することを実験的に確かめた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-10
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