SiH_4/Si_2H_6を用いた選択的シリサイド化によるCu配線酸化防止用CoSi層の形成
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概要
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ULSI-Cu配線形成において,ダマシン法による配線構造形成後,Cuの酸化を抑制するためにSiNxなどの酸化防止膜が形成される。SiNxは誘電率が高く配線のRC遅延時間増大を招くため,Coなどのメタルバリヤの採用が検討されている。本研究では,Coメタルバリヤ層をシリサイド化して耐酸化性能を向上させるとともに,Co層のみがシリサイド化され,配線間絶縁膜上にはシリコンなどの導電性材料の析出が起こらない選択成長プロセスの実現可能性を検討した。その結果,選択シリサイド化は可能であり,シリサイド化されたCo層は耐酸化性能が向上することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-31
著者
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
野田 優
東大院工
-
小宮山 宏
東京大学
-
小宮山 宏
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院化学システム工学専攻
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
野田 優
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学
-
平井 里佳
東京大学大学院工学系研究科
-
小宮山 宏
東大・工
-
小宮山 宏
東大
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