ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/ライナー膜は高い低効率を従来有していることから、配線の信頼性を損なうことなくバリヤ/ライナー膜を薄膜化・低抵抗することが求められている。本研究では、Cuとの密着性の観点から材料選定をおこなった上でW添加Co膜[Co(W)膜]に着目し、化学気相成長法(CVD)および原子層堆積法(ALD)によるCo(W)膜の成膜手法確立に成功した。そして、Co(W)膜のCu拡散バリヤ性と60〜90μΩ-cmという低い低効率を確認し、単層でバリヤ/ライナーとして働くCo(W)が次世代Cu配線にとって有望な材料であることを見出した。
- 2012-02-27
著者
-
小林 芳彦
大陽日酸(株)
-
百瀬 健
東京大学
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院化学システム工学専攻
-
百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科博士課程
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
小林 芳彦
大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部
-
清水 秀治
大陽日酸株式会社
-
清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科
-
嶋 絋平
東京大学大学院工学系研究科
-
清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科:大陽日酸株式会社
-
小林 芳彦
大陽日酸株式会社
-
百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科
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