アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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概要

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• 窒化物半導体分野に関連する技術として、有機金属気相成長(MOVPE)技術、NH_3ガス精製技術、原料中の微量不純物分析技術等の技術開発を行っている。NH_3ガス中の水分は、MOVPEによるGaN系化合物半導体の成長膜に影響を与えると言われる。本研究では、炉内雰囲気中の水分がInGaN/GaN量子井戸層に取り込まれ、LED(light-emitting diode)のEL発光強度を大きく低下させることを明らかにした。また、NH_3ガス供給技術の観点から、原料NH_3ガス中に含まれる水分濃度が変動した場合でも、NH_3ガス精製装置を使用することによって、常に安定した純度のNH_3ガス供給が可能であることを、EL発光強度、SIMS分析およびNH_3ガス中の水分濃度をCRDS方式の測定によるOn-Site分析により実証した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-10-04

著者

• 渋谷 和信

  大陽日酸(株)

• 小林 芳彦

  大陽日酸(株)

• 小野 宏之

  大陽日酸株式会社開発・エンジニアリング本部つくば研究所分析技術センター

• 万行 大貴

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部

• 小林 芳彦

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部

• 松本 功

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部

• 渋谷 和信

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部

• 小林 芳彦

  大陽日酸株式会社

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