有機金属気相成長法によるGaN系化合物半導体成長に対するNH3ガス中の水分の影響--On-Site不純物分析技術の確立とNH3ガス精製装置の有効性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 大陽日酸技術本部技報編集事務局の論文

著者

• 小林 芳彦

  大陽日酸(株)

• 小野 宏之

  大陽日酸株式会社開発・エンジニアリング本部つくば研究所分析技術センター

• 万行 大貴

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部

• 小林 芳彦

  大陽日酸株式会社

関連論文

• パーフルオロ化合物(PFCs)対応燃焼分解技術
• アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 有機金属気相成長法によるGaN系化合物半導体成長に対するNH3ガス中の水分の影響--On-Site不純物分析技術の確立とNH3ガス精製装置の有効性
• ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜(配線・実装技術と関連材料技術)
• ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜

スポンサーリンク