2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
InGaN量子井戸におけるIn偏析の制御は高発光効率の実現に重要と思われる。水平型大型炉ではウェハサセプタの上下流端での原料濃度やV/III比等の成長パラメータに大きな分布が生じる場合があるのでIn偏析の程度に合わせて高い均一性を実現するためにはIn偏析のような物理現象と成長パラメータの関係を調査することが大変重要である。本研究では、井戸層におけるIn表面偏析の比較的大きい(InGaN/GaN)量子井戸構造を用いて、励起強度の異なるフォトルミネセンス(PL)測定によりプロセス条件に対するブルーシフト量の変化を調査した。表面偏析の大きくなるような成長条件では、薄い井戸層を採用して表面偏析が抑制されることによりPL発光効率が改善され、同時に均一性も得られる。さらにバリア層に水素を添加することにより界面の急峻性を改善した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-10-07

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク