大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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今回我々は、8インチ×6枚を一度に処理可能な大型量産MOCVD装置を開発した。本装置によりSi(111)基板上にAlN、AlGaNを成長実験を行った。その結果、AlNに関しては、8インチSi基板上において2μm/hr以上、6インチSi基板上では4μm/hrの成長速度でも成長速度の飽和が観測されなかった。膜厚均一性±1.8%クラックフリーのエピ膜を得ることができた。またAlGaNに関しては、1μm/hr以上の成長速度ですべてのAl組成領域においてAl組成を制御できることを確認した。これらの結果から、本装置が高いレベルで気相反応を制御可能なガスフローを実現できていることが実証された。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2012-11-22

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