p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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MOVPE装置を用いて成長した、成長圧力の異なるMgドープGaNの材料特性について調べた。大気圧成長p-GaNは減圧成長(300torr)のサンプルに比べて、一桁以上ホールキャリアが低くなった。断面透過電子顕微鏡(TEM)像では、深さ方向に周期的にInversion Domain Boundary Defects(IDE)と思われる逆三角型の構造欠陥が観察された。これらの構造欠陥の現れる領域の断面カソードルミネッセンス測定ではDA発光強度が強くなる傾向が観察されたことから、同時にドナー性の点欠陥も誘起されていると考えられる。これらの結果は圧力を下げる程、ホールキャリアが少なくなる結果と合致するかもしれない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
-
矢野 良樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
徳永 裕樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
生方 映徳
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
松本 功
大陽日酸イー・エム・シー株式会社
-
山崎 利明
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
生方 映徳
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
徳永 裕樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
矢野 良樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
阿久津 仲男
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
松本 功
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
山崎 利明
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
阿久津 仲男
大陽日酸株式会社化合物事業部
-
矢野 良樹
大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部
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