山崎 利明 | 日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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概要
関連著者
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矢野 良樹
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大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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著作論文
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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