阿久津 仲男 | 大陽日酸株式会社化合物事業部
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概要
関連著者
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阿久津 仲男
大陽日酸株式会社化合物事業部
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松本 功
大陽日酸イー・エム・シー株式会社
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徳永 裕樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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生方 映徳
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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生方 映徳
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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徳永 裕樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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阿久津 仲男
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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松本 功
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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立花 明知
京都大学
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徳永 裕樹
日本酸素(株)つくば研究所電材開発部
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阿久津 仲男
日本酸素(株)産ガス電子機材事業部
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矢野 良樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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池永 和正
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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山崎 利明
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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矢野 良樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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山崎 利明
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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松本 功
日本酸素(株)つくば研究所
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松本 功
大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部
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藤居 勤二
大陽日酸株式会社化合物事業部
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立花 明知
京都大学工学部機械物理
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矢野 良樹
大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部
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山口 晃
日本酸素(株)産ガス電子機材事業部
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立花 明知
京大工
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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山口 晃
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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梅野 正義
名古屋工業大学
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江川 孝志
名古屋工業大学
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松本 功
日本酸素
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立花 明知
京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻
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梅野 正義
名古屋工業大学工学部電気情報工学科 極微構造デバイス研究センター
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日高 淳一
日本酸素(株)つくば研究所電材開発部
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生方 映徳
日本酸素(株)技術・開発本部つくば研究所
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日高 淳一
日本酸素(株)
著作論文
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 大気圧成長GaN系MOVPE成長技術の開発
- SC-7-8 窒化物系半導体用MOCVD装置
- 大気圧MOVPE成長AlGaNにおける気相反応とその量子化学的検討
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- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 技術報告 リアクターサイズ2インチ×3横型大気圧GaN-MOCVD装置の開発