山口 晃 | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部

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概要

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関連著者

• 山口 晃

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 生方 映徳

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 松本 功

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 徳永 裕樹

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 矢野 良樹

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 池永 和正

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 田渕 俊也

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 松本 功

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 矢野 良樹

  大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部

• 山崎 利明

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 阿久津 仲男

  大陽日酸株式会社化合物事業部

• 山本 淳

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 内山 康右

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 伴 雄三郎

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 山本 淳

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 伴 雄三郎

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 福田 靖

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 原田 康博

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 生方 映徳

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 徳永 裕樹

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 山口 晃

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 松本 功

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部

• 藤居 勤二

  大陽日酸株式会社化合物事業部

• 内山 康右

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 山岡 優哉

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 矢野 良樹

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 山崎 利明

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 立花 明知

  京都大学

• 徳永 裕樹

  日本酸素(株)つくば研究所電材開発部

• 阿久津 仲男

  日本酸素(株)産ガス電子機材事業部

• 山口 晃

  日本酸素(株)産ガス電子機材事業部

• 立花 明知

  京大工

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 阿久津 仲男

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 松本 功

  日本酸素株式会社化合物プロジェクト部

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 松本 功

  日本酸素(株)つくば研究所

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 松本 功

  日本酸素

• 立花 明知

  京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻

• 梅野 正義

  名古屋工業大学工学部電気情報工学科 極微構造デバイス研究センター

• 日高 淳一

  日本酸素(株)つくば研究所電材開発部

• 立花 明知

  京都大学工学部機械物理

• 生方 映徳

  日本酸素(株)技術・開発本部つくば研究所

• 日高 淳一

  日本酸素(株)

• 池永 和正

  大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部

• 田渕 俊也

  大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部

• 山口 晃

  大陽日酸(株)京浜事業所化合物事業部

• 生方 映徳

  大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部

• 内藤 一樹

  大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部

• 内山 康祐

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

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著作論文

• 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 大気圧成長GaN系MOVPE成長技術の開発
• SC-7-8 窒化物系半導体用MOCVD装置
• シリコン基板上GaNパワーデバイスエピタキシャル成長用有機金属気相成長装置の現状と課題
• 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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