4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• 我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置(UR25K)を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短縮を目的として、UR25Kを使用して大気圧下で10μm/hの速度でGaNを成長した。X線回折ロッキングカーブの半値幅は(0002)方向で200arcsec、(10-12)方向で260arcsecとなった。残留炭素濃度は2.5×10^<16>cm^<-3>であった。また、n-GaNを3.6μm/hで成長したLEDサンプルと、10μm/hで成長したLEDサンプルを作製した。それぞれのEL特性を調べたところ、ほぼ同じレベルであった。以上の結果から、UR25KにおけるGaNの高速成長がGaN系デバイスの成長時間短縮に貢献できる可能性があると考えられる。

• 2009-11-12

著者

• 矢野 良樹

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 池永 和正

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 徳永 裕樹

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 山本 淳

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 田渕 俊也

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 内山 康右

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 山口 晃

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 福田 靖

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 生方 映徳

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 原田 康博

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 伴 雄三郎

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 松本 功

  大陽日酸イー・エム・シー株式会社

• 山崎 利明

  大陽日酸株式会社電子機材事業本部

• 山本 淳

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 松本 功

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 内山 康右

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

• 矢野 良樹

  大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部

• 伴 雄三郎

  大陽日酸イー・エム・シー(株)

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