大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長 (レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-11-29
著者
-
矢野 良樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
徳永 裕樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
生方 映徳
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
矢野 良樹
大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部
関連論文
- 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 大気圧成長GaN系MOVPE成長技術の開発
- SC-7-8 窒化物系半導体用MOCVD装置
- 大気圧MOVPE成長AlGaNにおける気相反応とその量子化学的検討
- 大気圧MOVPE成長AlGaNにおける気相反応とその量子化学的検討
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 半導体レーザ分光によるステンレス上吸着水とトリクロロシランの不均一系反応の研究
- ナノメータ厚さの障壁層の挿入によるレーザ分光用半導体レーザの温度特性の改善
- 大型量産GaN用MOCVD装置の開発
- シリコン基板上GaNパワーデバイスエピタキシャル成長用有機金属気相成長装置の現状と課題 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- シリコン基板上GaNパワーデバイスエピタキシャル成長用有機金属気相成長装置の現状と課題
- シリコン基板上GaNパワーデバイスエピタキシャル成長用有機金属気相成長装置の現状と課題
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)