InGaN量子井戸構造における水素雰囲気の影響(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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GaN及びInGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長条件について調べた結果を報告する。結晶成長には、2インチ基板×7枚の多数枚型横型MOVPE装置を用いて常圧にて成長を行った。GaNの成長に水素リッチなキャリアガスを用いることによって、X線回折の非対称反射ロッキングカーブは320秒程度に改善されることが分かった。雰囲気ガスの異なるGaN層の組み合わせによって、6インチ全体で均質なGaN膜を実現した。バリア層GaNの成長に同様の成長条件を適用した結果InGaN/GaN量子井戸構造のPL強度は約3倍程度改善された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
矢野 良樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
徳永 裕樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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山口 晃
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
生方 映徳
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
山崎 利明
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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生方 映徳
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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徳永 裕樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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矢野 良樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
山崎 利明
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
山口 晃
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
矢野 良樹
大陽日酸(株)つくば研究所電子機材事業部先端技術開発部
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