CI-3-3 MOVPEによる化合物半導体量産技術の生産性向上には何が求められるか?(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-31
著者
-
伴 雄三郎
大陽日酸イー・エム・シー株式会社
-
松本 功
大陽日酸イー・エム・シー株式会社
-
伴 雄三郎
太陽日酸イー・エム・シー(株)
-
松本 功
太陽日酸イー・エム・シー(株)
-
大堀 達也
太陽日酸イー・エム・シー(株)
関連論文
- 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 4 inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-3-3 MOVPEによる化合物半導体量産技術の生産性向上には何が求められるか?(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 大気圧成長GaN系MOVPE成長技術の開発
- SC-7-8 窒化物系半導体用MOCVD装置
- 大気圧MOVPE成長AlGaNにおける気相反応とその量子化学的検討
- 大気圧MOVPE成長AlGaNにおける気相反応とその量子化学的検討
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- p型GaNの成長圧力依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 半導体レーザ分光によるステンレス上吸着水とトリクロロシランの不均一系反応の研究
- ナノメータ厚さの障壁層の挿入によるレーザ分光用半導体レーザの温度特性の改善
- シリコン基板上GaNパワーデバイスエピタキシャル成長用有機金属気相成長装置の現状と課題 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- シリコン基板上GaNパワーデバイスエピタキシャル成長用有機金属気相成長装置の現状と課題
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 大口径Si基板(8インチ&6インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)