LPCVDの全圧による粉体・膜合成の制御 : SiH<SUB>4</SUB>とC<SUB>6</SUB>H<SUB>6</SUB>によるSiCの合成
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概要
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減圧超微粒子沈着CVDによりSiH<SUB>4</SUB>, C<SUB>6</SUB>H<SUB>6</SUB>を原料としてSiC膜の合成を行った.生成した膜は遊離炭素をほとんど含まないβ-SiCであり, 成膜速度は190nm/sと通常のCVD法と比較して1桁大きい値を得た.<BR>各原料分圧を一定に保ち, 全圧のみを変化させて反応を行ったところ, 全圧が低いほど膜の生成割合が増大し, 全圧を制御することによって膜と微粒子の生成割合を制御することが可能であることを示した.<BR>また, SiH<SUB>4</SUB>のみ, C<SUB>6</SUB>H<SUB>6</SUB>のみを流し, SiおよびCを単独に析出させた場合とSiH<SUB>4</SUB>+C<SUB>6</SUB>H<SUB>6</SUB>からSiCを析出させた場合の析出速度分布を比較することにより, 気相でのSiH<SUB>4</SUB>とC<SUB>6</SUB>H<SUB>6</SUB>の相互作用があり, SiH<SUB>4</SUB>の存在によりC<SUB>6</SUB>H<SUB>6</SUB>の分解が促進されることを確認した.
- 社団法人 化学工学会の論文
著者
-
小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
-
霜垣 幸浩
東京大学工学系研究科
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
小山田 浩
東京大学工学部 化学工学科
-
小宮山 宏
東京大学工学部
-
霜垣 幸浩
東京大学工学部 化学工学科
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