杉山 正和 | 東京大学工学系研究科
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概要
関連著者
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杉山 正和
東京大学工学系研究科
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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櫻井 謙司
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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櫻井 謙司
東京大学工学系研究科
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中野 義昭
東京大学工学系研究科
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中野 義昭
東京大学先端研
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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Abdullah Al
東京大学工学系研究科
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櫻井 貴志
東京大学工学系研究科
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吉田 春彦
(株)東芝研究開発センター
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飯塚 紀夫
(株)東芝研究開発センター
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清水 俊匡
東京大学先端科学技術研究センター
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真名垣 暢人
(株)東芝研究開発センター
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ハッサネット ソダーバンル
東京大学工学系研究科
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清水 俊匡
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科
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阿部 英司
東京大学工学系研究科
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アルアミン アブドゥッラー
東京大学工学系研究科
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塩田 倫也
東京大学工学系研究科
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阿部 英司
東京大学大学院工学系研究科
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塩田 倫也
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学
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中野 貴之
東京大学工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学工学系研究科
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霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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渡辺 健太郎
東京大学先端科学技術研究センター
著作論文
- C-3-19 選択成長による光合分波器と半導体光増幅器の集積化(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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- InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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- Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代高効率太陽電池の研究開発動向 -50％超の変換効率を目指して