気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET

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概要

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• 2010-03-26

著者

• 竹中 充

  東京大学 先端科学技術研究センタ

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 竹中 充

  東京大学

• 竹中 充

  東京大学大学院工学系研究科

• 森井 清仁

  東京大学

• 岩崎 敬志

  東京大学

• 中根 了昌

  東京大学

• 高木 信一

  東京大学

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 中根 了昌

  東京大学電気系工学専攻

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

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