InGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与えるメタルゲート電極の影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al_2O_3/InGaAsとHfO_2/InGaAs上、AlとAuとPdをゲート電極としてそれぞれのMOSキャパシタを作製して、電気特性の評価を行った.電気特性評価の結果により、PdはAl_2O_3、HfO_2共にMOSキャパシタの容量を上げる効果があることが分かる.一方、Al_2O_3上ではAuおよびAlゲートでのMOSキャパシタの界面準位がPdゲートより低くなるが、HfO_2上では、逆にPdゲートの方が低くなることが分かる.そこで、InGaAs MOS構造におけるメタルゲート電極は、high k絶縁膜とMOS界面の両方の電気特性に影響を与えること、またhigh k絶縁膜の種類によって、最適なゲート電極材料が異なることが明らかとなった.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学
-
高木 信一
東京大学工学系研究科
-
横山 正史
東京大学工学系研究科
-
市川 磨
住友化学
-
張 志宇
東京大学工学系研究科
-
金 相賢
東京大学工学系研究科
-
長田 剛規
住友化学
-
竹中 充
東京大学工学系研究科
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