引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解

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概要

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• 2012-01-20

著者

• 金 相賢

  東京大学電気系工学専攻

• 中根 了昌

  東京大学電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学電気系工学専攻

• 田岡 紀之

  東京大学電気系工学専攻

• 安田 哲二

  産業総合研究所

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学電気系工学専攻

• 福原 昇

  東京大学電気系工学専攻

• 山田 永

  東京大学電気系工学専攻

• 秦雅 彦

  東京大学電気系工学専攻

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