引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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本研究ではMOS界面バッファ技術、ひずみチャネル技術の二種類の移動度向上技術を使ってInGaAs MOSFETを作製し、その電気特性、伝導特性を調べた。MOS界面バッファ層を有するInAs-OI MOSFETでは3180cm^2/Vsの高い移動度を実証し、In組成とMOS界面バッファによる移動度向上機構を調べた。さらに基板成長により、二軸引張りひずみを印加し、In組成53%のチャネルで2150cm^2/Vsと高い移動度を実証した。こちらについてもそのメカニズムに関して調べたので報告する。
- 2012-01-20
著者
-
安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
-
竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
福原 昇
住友化学
-
横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
金 相賢
東京大学電気系工学専攻
-
中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
-
横山 正史
東京大学電気系工学専攻
-
田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
-
安田 哲二
産業総合研究所
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
高木 信一
東京大学電気系工学専攻
-
秦 雅彦
住友化学
-
山田 永
住友化学
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