気液ハイブリッド法によるハフニウムシリケート薄膜の作製とその電気特性 : TEOSによるシリケート膜の成長(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• 気液ハイブリッド法とは、気相中での原料ガス吸着と液相中での加水分解を繰り返して基板上に薄膜を堆積する新規成膜法である。我々はHf(O^tC_4H_9)_4とSi(OC_2H_5)_4を原料として、室温でVALID法によりハフニウムシリケート膜を作製した。As-depositedシリケート膜を真空熱処理により脱水・緻密化し、Au上部電極を蒸着してMOSキャパシタを作製した。シリケート膜のC-Vはフラツトバンドシフトを除いて、理想曲線と良く一致した。また、リーク電流はSiO_2より4桁小さかった。

• 2004-06-14

著者

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 北条 大介

  筑波大

• 北條 大介

  半導体mirai-産総研asrc

• 玄 一

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 北條 大介

  国立大学法人 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構

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