Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_<1-x>As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• 本研究ではNiとInGaAs基板の直接反応で形成されるNi-InGaAsがInGaAs MOSFETにおいてS/D材料として使えることを見出し、Ni-InGaAs合金層の評価を行った。Ni-InGaAsは25Ω/square程度の低いシート抵抗とn-InGaAs(伝導帯側)に対して比較的低いショツトキー障壁(SBH)を持っているが分かった。さらに基板のIn組成をコントロールすることで低いシート抵抗を保ちながらSBHを低減できることが明らかとなった。Ni-InGaAsを用いた自己整合型のメタルS/Dプロセスを提案し、以上の技術を組み合わせることでメタルS/D構造を有するInGaAs MOSFETを自己整金型で作製することに世界で初めて成功した。特に0.7と0.8の高いIn組成を持つデバイスにおいて2000と1810cm^2/Vsの高いピーク移動度が得られ、同時にS/Dの寄生抵抗も低減させることができた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2011-01-24

著者

• 山田 永

  住友化学(株)筑波研究所

• 秦 雅彦

  住友化学(株)筑波研究所

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 田岡 紀之

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)

• 竹中 充

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学

• 宮田 典幸

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 福原 昇

  住友化学

• 横山 正史

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 金 相賢

  東京大学電気系工学専攻

• 中根 了昌

  東京大学電気系工学専攻

• 横山 正史

  東京大学電気系工学専攻

• 田岡 紀之

  東京大学電気系工学専攻

• 飯田 亮

  東京大学電気系工学専攻

• 李 成薫

  東京大学電気系工学専攻

• 卜部 友二

  産業総合研究所

• 宮田 典幸

  産業総合研究所

• 安田 哲二

  産業総合研究所

• 竹中 充

  東京大学電気系工学専攻

• 高木 信一

  東京大学電気系工学専攻

• 秦 雅彦

  住友化学

• 山田 永

  住友化学

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