1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(<特集>エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
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概要
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Si CMOSの性能飽和をブレークスルーする可能性がある技術として近年注目されている,III-V族化合物半導体やGeをチャネルとするMOSトランジスタ技術について紹介する.これらの素子は,Siプラットホームを最大限活用するために,Si基板上に形成する必要があり,技術的課題は,Si基板上へ高品質のIII-V族半導体薄膜やGe薄膜を形成する技術,MOS界面制御技術,移動度向上技術を含め,多岐にわたっている.本稿では,これらの課題を解決する可能性のある手法として,選択成長技術,張合せ技術,MOS界面制御技術,面方位エンジニアリングなどについて述べる.
- 2010-11-01
著者
-
竹中 充
東京大学
-
竹中 充
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
竹中 充
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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