微細CMOS技術におけるチャネルエンジニアリングの重要性とひずみSOI MOSFETのインパクト
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概要
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極薄膜ゲート絶縁膜をもつ微細MOSFETでは、MOS反転層容量と有限の値のSiバンドベンディングの影響の結果、低電圧での動作が極めて難しくなる。この問題を克服するには、チャネル中のキャリア速度を高めることを可能にする高移動度チャネルの導入が必要となる。Siテクノロジーにマッチする高移動度チャネルとして、現在、ひずみSiやSiGeチャネルが興味を持たれている。我々は、更に進んだ素子構造として、これらのチャネルとSOI構造を組み合わせたひずみSOI(Si-on-Insulator)及びひずみSGOI(SiGe-on-Insulator)MOSFETを提案し、その高駆動力性を実証してきた。本講演では、これらの素子のデバイス構造・利点・電気特性などを、ひずみSi素子の現状と合わせて述べると共に、ひずみSOI素子実現のキーとなる基板作成技術についても触れる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-26
著者
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東大 大学院新領域創成科学研究科
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