シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
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概要
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Fowler-Nordheim(F-N)電子注入が起きるような高電界印加でのシリコン酸化膜(SiO_2)の絶縁破壊に対して、電子と正孔のそれぞれが何らかの役割を担っていることを実験的に証明した。SiO_2の絶縁破壊への電子と正孔の寄与を定量的に調べるために、F-N注入によって電子をゲート電極から、また基板ホットホール(Substrate Hot Hole, SHH)注入によって正孔を、それぞれの注入量を独立に制御しながら、絶縁破壊に至るまでの通過電子総量(Qbd)と通過正孔総量(Qp)を調べた。その結果、注入電子電流密度が少ない時にはQpは一定にならずに増加していくこと、および、Qpが一定になるような領域ではQbdは増加していくことが明らかになった。この実験結果から、SiO_2の絶縁破壊を決めているのは電子量と正孔量のバランスであり、絶縁破壊が起きるためには電子と正孔の両者が必要であると結論づけられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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