2-1 Si MOSFETの微細化限界 : 2. ナノエレクトロニクス(<特集>ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
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概要
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Si LSIに用いられるMOSFETは,近年一層の微細化が進行しており,ゲート絶縁膜やソース・ドレーンのpn接合,ゲート電極などのトランジスタの各構成要素の寸法に対し,ナノメートルオーダの制御が,当然のように要求されている状況にある.本稿では,半導体ナノエレクトロニクスの分野でも特にサイズの縮小が著しい,微細Si MOSトランジスタをそ上にあげ,その現状と微細化の物理限界について述べる.更に,この限界論を踏まえて,今後の研究開発の方向性と将来の期待を,半導体ナノテクノロジーと関連させつつ述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-01
著者
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