ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ゲートポリシリコンに高濃度にドープされた不純物の不完全イオン化と、キャリアや不純物イオン間の多体相互作用によるバンドギャップナローウィング(BGN)が、電子がゲートから基板に流れる直接トンネル電流に与える影響を報告する。不純物のイオン化率とBGNを自己無撞着に計算することは、BGNが散乱問題であるのに対してイオン化が束縛の問題であるという事情から、理論的に解くことは極めて困難である。そこで現象論的手法を開発し、IV特性を計算した。その結果、完全イオン化では再現出来なかった低電界領域での実験とのフィッティングに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
-
渡辺 浩志
株式会社東芝LSI基板技術ラボラトリー
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
-
高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
高木 信一
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
渡辺 浩志
(株)東芝LSI基盤技術ラボラトリー
関連論文
- 構造緩和したSiO_2中のSiクラスタへのタイトバイディング計算の適用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ
- SSON構造から作製したGAA型ひずみチャネルSi-MOSFETの電気特性とNBDによるひずみの評価
- Si原子層により終端されたGe MIS界面特性とその反転層正孔移動度への影響
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 先端CMOSのための高移動度デバイス・基板技術,AWAD2006)