高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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SiGe on Insulator (SGOI)基板を用いたひずみSOI-MOSFETの試作とその電気特性について報告する。8インチSOIウエハを用いて、酸化濃縮法により実効Ge組成24%のSGOI基板を作成した。ゲート長35nmのMOSFETでもチャネルSi層のひずみが保持されることが分かった。またゲート長70nmの部分空乏型ひずみSOI-MOSFETで14%程度の性能向上が得られた。さらに完全空乏型ひずみSOI-MOSFETのしきい値をバックゲートで制御し、低チャネル不純物における性能向上が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
臼田 宏治
半導体MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
平下 紀夫
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
半導体MIRAI-ASET
-
杉山 直治
MIRAI-ASET
-
豊田 英二
東芝セラミックス株式会社
-
沼田 敏典
半導体MIRAIプロジェクト超先端電子技術開発機構(ASET)
-
宮村 佳児
コマツ電子金属
-
古賀 淳二
半導体MIRAI-ASET
-
田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
古賀 淳二
東芝研究開発センターlsi基盤技術研究所
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
-
古賀 淳二
東芝
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