微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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微細メタルS/D InGaAs MOSFETへの適用を見据え,Ni-InGaAs合金コンタクトの膜厚制御性と熱的安定性を調べた.その結果,Ni堆積量の精密制御と低温熱処理の適用により,6nmという非常に薄い膜厚で,且つ低いシート抵抗(〜25Ω/□)を有するNi-InGaAs合金層の形成が可能である事が分かった.本極薄合金層は250℃まで安定である事が確認されたが,300℃以上では界面ゆらぎを伴う膜厚増大が観察された.微細InGaAs MOSFET適用へは,低温BEOLプロセスの確立が重要である.
- 2012-06-14
著者
-
入沢 寿史
半導体MIRAI-ASET
-
手塚 勉
半導体MIRAI-ASET
-
入沢 寿史
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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入沢 寿史
産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター
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