微細 InGaAs MOSFET に適用可能な極薄 Ni-InGaAs 合金コンタクトの形成とその熱的安定性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-06-14
著者
-
入沢 寿史
産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
小田 穣
産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
手塚 勉
産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター
関連論文
- 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細 InGaAs MOSFET に適用可能な極薄 Ni-InGaAs 合金コンタクトの形成とその熱的安定性