入沢 寿史 | 産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター

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概要

• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンターの論文著者

関連著者

• 入沢 寿史

  産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 入沢 寿史

  半導体MIRAI-ASET

• 手塚 勉

  半導体MIRAI-ASET

• 入沢 寿史

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 小田 穣

  産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 手塚 勉

  産業技術総合研究所 グリーンナノエレクトロニクスセンター

著作論文

• 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 微細 InGaAs MOSFET に適用可能な極薄 Ni-InGaAs 合金コンタクトの形成とその熱的安定性

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